科技魔方
  • 内存芯片最新相关新闻
  • 日本制裁韩国 全球闪存、内存芯片或许要重新涨价了

    上月中旬东芝位于日本四日市的5座闪存晶圆厂遭遇断电事故,导致部分工厂将停产一个月,这件事使得全球NAND闪存供需情况发生变化,预计闪存芯片在Q3季度会减少跌幅或者部分涨价(涨价的主要是2D闪存。)

    三星18nm工艺内存芯片曝缺陷 明年全面挺进16nm

    作为占据全球DRAM内存芯片过半市场的超级巨头,三星电子的一举一动都影响着整个行业。前几年内存价格持续暴涨,三星赚得盆满钵满,最近日子就不太好过了,一季度营业利润暴跌了超过60%。

    8年来第一次:内存芯片价格暴跌近30%

    根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)公布的最新调研报告,由于持续供过于求,DRAM内存芯片大部分交易已经改为月结价(Monthly Deals),今年2月更是罕见地出现了价格大幅下跌。

    内存芯片制造商SK海力士计划投资1070亿美元建厂

    2月21日消息,据国外媒体报道,韩国存储芯片制造商SK海力士当地时间周四表示,其将投资1070亿美元建设四座内存芯片工厂。

  • 腾讯科技 内存芯片海力士建厂
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  • 分析师:亚洲市场内存芯片需求可能很快回升

    2月13日消息,据国外媒体报道,瑞士信贷(Credit Suisse)董事总经理、台湾股票研究主管Randy Abrams表示,许多芯片公司表示,尽管预计2019年第一季度前景不佳,但该季度可能会触及“周期底部”。

  • TechWeb
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  • 全球第二大内存芯片制造商海力士两年来首次利润下降

    北京时间1月24日消息,全球第二大内存芯片制造商海力士公司周四(当地时间1月24日)公布第四季度财报,海力士当季盈利情况低于市场预期。

  • 凤凰网科技 内存芯片利润下降海力士
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  • 美光股价跌至52周新低 预计2019下半年内存芯片迎来改善

    12月25日消息,据国外媒体报道,12月21日,美光科技股价下跌逾3%,收于30.32美元。圣诞节前夕12月24日,美光股价继续下跌至29.02美元,为52周新低点。

    三星将2018年资本支出削减27% 称内存芯片热潮已结束

    10月31日消息,据路透社报道,周三,三星电子将2018年的资本支出削减逾四分之一,并警告称,到明年初之前,公司利润将下降。三星电子称,持续两年的内存芯片热潮已经结束。

  • TechWeb
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  • 美光推进DDR5内存芯片:2019年底量产

    尽管JEDEC(固态存储协会)的DDR5标准尚未定案,Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品,并计划在2019年底量产。

  • 快科技 内存芯片美光量产
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  • 多家投行看衰内存芯片行业 美光股价持续下跌

    据外媒报道,美光证实了投资者最严重的担忧。该公司表示,PC处理器的缺货正在影响市场对内存芯片的需求。

  • 腾讯科技 内存芯片投行持续下跌
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  • 彭博:三星计划明年降低内存芯片产量增幅 可能推高芯片价格

    9月21日消息,据彭博社报道,知情人士表示,在预期需求放缓的情况下,三星电子计划明年降低内存芯片产量增幅,以确保供应紧缩。

  • TechWeb 彭博内存芯片增幅
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  • 内存芯片产值2018年将破1000千亿美元:韩国捞钱捞到手软

    这两年DRAM内存、NAND闪存行业的疯狂激荡大家都看在眼里。内存尤其夸张,价格持续飙升。

  • 快科技 内存芯片手软捞钱
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  • 三星首发LPDDR5内存芯片:6400Mbps、功耗降低30%

    7月17日上午消息,三星今晨宣布,成功开发出业内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm级(10~20nm)工艺。

    韩媒称三星已启动EUV 1ynm工艺的DRAM内存芯片研发

    作为DRAM芯片的龙头企业,三星目前已经能量产10nm级、最大容量16Gb的LPDDR4内存、GDDR5显存和DDR4内存等。

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