三星开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片 写入速度达1.2GB/s

　　3月18日消息，据国外媒体报道，三星电子日前公告称，该公司开始大规模量产512GB eUFS 3.1芯片，适用于旗舰智能手机。

　　和之前的eUFS 3.0芯片相比，新款芯片的连续读取速度(Sequential Read)虽然还是2100MB/s，但其连续写入(Sequential Write)和随机读取速度(Random Read)分别是原来的3倍(1.2GB/s)和1.6倍(100,000 IOPS)。

　　eUFS为embedded Universal Flash Storage的简称，即嵌入式通用闪存。

　　三星表示，8K视频、高清图片将能被快速地保存入手机，无需缓冲。

　　除了512GB的eUFS 3.1芯片以外，三星表示，还将推出256GB和128GB的版本。